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Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt die Lieferung einer Plasma-gestützten Atomlagenabscheidungsanlage (PE-ALD) aus. Das System soll für die Dünnschichtabscheidung auf unterschiedlichen Substraten (Einzelchip bis 150 mm Wafer) eingesetzt werden und reproduzierbare Prozesse für leitfähige, halbleitende und dielektrische Schichten ermöglichen, inklusive Multilagen-Prozessierung ohne Vakuumunterbrechung. Zum Lieferumfang gehört ein Steuer-PC mit aktueller Software und Betriebssystem. Die Zuschlagskriterien gewichten technische Spezifikationen mit 70% und den Preis mit 30%.
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. beschafft eine Plasma-gestützte Atomlagenabscheidungsanlage (PE-ALD) für die Dünnschichtabscheidung auf Substraten von Einzelchipformat bis 150 mm Wafer.
Anforderungen an den Bieter
Besondere Bedingungen