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Die Fraunhofer-Gesellschaft schreibt die Lieferung eines Photolumineszenz-Mappers für den NIR-Bereich (800-2150nm) aus. Das Gerät dient der Charakterisierung von Halbleiter-Heterostrukturen (AlInGa)(AsP) auf Wafern von 2 bis 6 Zoll. Zu den technischen Anforderungen gehören die Messung von Bandlücke, Uniformität und Schichtdicke. Optionale Erweiterungen umfassen automatisierte Excitation-Density-Tuning, einen zusätzlichen DPSS-Laser für InGaAs-Kontakt-Bleach-Out sowie flexible Probenhalterungen mit Vakuum-Klemmung und Mounts für DataRay BladeCam2.
Beschaffung eines Photolumineszenz-Mappers für den NIR-Bereich (800-2150nm) zur Charakterisierung von Halbleiter-Wafern (2-6 Zoll). Das System umfasst Optionen für Excitation-Density-Tuning, zusätzliche Laser für InGaAs-Kontakt-Bleach-Out sowie spezialisierte Probenhalterungen.
Anforderungen an den Bieter
Besondere Bedingungen
"Tender Zen ist eine riesige Hilfe und macht die Analyse so viel einfacher."
Bekanntmachungs-ID: e802e611-cf52-4393-9891-f2cd92f08daa