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Beschaffung einer CMP-Anlage für die chemisch-mechanische Politur von Halbleiterwafern. Die Anlage soll dielektrische Schichten polieren. Ziel ist Oberflächenplanarisierung und -verbesserung. Optionale Zusatzleistungen sind möglich. Integrierte Reinigung und optische Endpoint Detection sind erforderlich.
CMP-Anlage für chemisch-mechanische Politur. Dielektrische Schichten auf Halbleiterwafern. Planarisierung und Oberflächenverbesserung.
Anforderungen an den Bieter